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MOS管

mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導體(semiconductor)場效應晶體管,或稱是金屬-(insulator)-半導體。MOS管的source和drain是能夠對換的,他們都是在P型backgate中構成的N型區。在大都環境下,這個兩個區是一樣的,即便兩頭對換也不會影響器件的機能。如許的器件被以為是對稱的。

界說

(FET),把輸出電壓的變更轉化為輸出電流的變更。FET的增益即是它的跨導, 界說為輸出電流的變更和輸出電壓變更之比。市道上常有的通俗為N溝道和P溝道,概況參考右邊圖片(P溝道耗盡型MOS管)。而P溝道罕見的為高壓mos管。

場效應管經由過程投影一個在一個絕緣層下去影響流過晶體管的電流。現實上不電流流過這個絕緣體,以是FET管的GATE電流很是小。最通俗的FET用一薄層來作為GATE極下的。這類晶體管稱為半導體(MOS)晶體管,或,金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)。由于MOS管更小更省電,以是他們已在良多利用場所代替了雙極型晶體管。









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